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NXPSC08650DJ

工場モデル NXPSC08650DJ
メーカー WeEn Semiconductors
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
パッケージ DPAK
株式 5305 pcs
データシート NXPSC08650DAll Device Label Chg 14/Feb/2020Diodes 1-20-23Adv Status Notice 28/Sep/2018Mult Dev Wafer Status 28/Sep/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのWeEn Semiconductorsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5305のWeEn Semiconductors NXPSC08650DJの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.7 V @ 8 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 230 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 8A
Vrと、F @キャパシタンス 260pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 NXPSC

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