SQ2361EES-T1-GE3
| 工場モデル | SQ2361EES-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3 |
| パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| 株式 | 5356 pcs |
| データシート | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014SQ2361EESSIL-085-2014-Rev-3 03/Mar/2015 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 2.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 545 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | SQ2361 |
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