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SQ2319ES-T1-GE3 Image
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SQ2319ES-T1-GE3

工場モデル SQ2319ES-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 4727 pcs
データシート SIL-0392014 Rev2 22/Sep/2014SQ2319ES
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4727のVishay Siliconix SQ2319ES-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 75mOhm @ 3A, 10V
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Cut Tape (CT)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 620 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 16 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.6A (Tc)
基本製品番号 SQ2319

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データシート

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