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SQ2337ES-T1_BE3 Image
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SQ2337ES-T1_BE3

工場モデル SQ2337ES-T1_BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 308723 pcs
データシート Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.253 $0.222 $0.17 $0.134 $0.107
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。308723のVishay Siliconix SQ2337ES-T1_BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 290mOhm @ 1.2A, 10V
電力消費(最大) 3W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 620 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.2A (Tc)
基本製品番号 SQ2337

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SQ2337ES-T1_BE3 データテーブルPDF

データシート