Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SQ2319ADS-T1_BE3
SQ2319ADS-T1_BE3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SQ2319ADS-T1_BE3

工場モデル SQ2319ADS-T1_BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 425702 pcs
データシート Automotive P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.243 $0.214 $0.164 $0.13 $0.104
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。425702のVishay Siliconix SQ2319ADS-T1_BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 75mOhm @ 3A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 620 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 16 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.6A (Tc)
基本製品番号 SQ2319

おすすめ商品

SQ2319ADS-T1_BE3 データテーブルPDF

データシート

SQ2319ADS-T1_BE3に関連した語彙

SQ2319ADS-T1_BE3関連コンポーネント