SIR582DP-T1-RE3
工場モデル | SIR582DP-T1-RE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 134722 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.674 | $0.606 | $0.487 | $0.4 | $0.332 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® Gen V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.4mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3360 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 67 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 28.9A (Ta), 116A (Tc) |
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