SIR510DP-T1-RE3
工場モデル | SIR510DP-T1-RE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 104081 pcs |
データシート | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SIR510DP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.865 | $0.775 | $0.623 | $0.512 | $0.424 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。104081のVishay Siliconix SIR510DP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® Gen V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4980 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 81 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Ta), 126A (Tc) |
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