SIR5623DP-T1-RE3
工場モデル | SIR5623DP-T1-RE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 96414 pcs |
データシート | SIR5623DP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.685 | $0.614 | $0.494 | $0.406 | $0.336 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1575 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) |
基本製品番号 | SIR5623 |
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