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Vishay Siliconix

SIR5108DP-T1-RE3

工場モデル SIR5108DP-T1-RE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
パッケージ PowerPAK® SO-8
株式 104622 pcs
データシート SIR5108DP
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.643 $0.578 $0.465 $0.382 $0.316
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。104622のVishay Siliconix SIR5108DP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 7.45mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1150 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 7.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
基本製品番号 SIR5108

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SIR5108DP-T1-RE3 データテーブルPDF

データシート