Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SIHG052N60EF-GE3
SIHG052N60EF-GE3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SIHG052N60EF-GE3

工場モデル SIHG052N60EF-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
パッケージ TO-247AC
株式 24523 pcs
データシート Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020SIHG052N60EF
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.726 $2.464 $2.04 $1.776 $1.547 $1.49
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。24523のVishay Siliconix SIHG052N60EF-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
シリーズ EF
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 52mOhm @ 23A, 10V
電力消費（最大） 278W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3380 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 101 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 48A (Tc)
基本製品番号 SIHG052

おすすめ商品

SIHG052N60EF-GE3 データテーブルPDF

データシート

SIHG052N60EF-GE3に関連した語彙

SIHG052N60EF-GE3関連コンポーネント