SIHFR430ATRR-GE3
工場モデル | SIHFR430ATRR-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 206882 pcs |
データシート | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_430AReel Design Change 29/Dec/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 |
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$0.164 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.7Ohm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 490 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 24 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tc) |
基本製品番号 | SIHFR430 |
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