SIHFR9120-GE3
工場モデル | SIHFR9120-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 317179 pcs |
データシート | IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.307 | $0.271 | $0.208 | $0.164 | $0.131 | $0.119 | $0.111 | $0.107 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 390 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.6A (Tc) |
基本製品番号 | SIHFR9120 |
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