SIHG050N60E-GE3
工場モデル | SIHG050N60E-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC |
パッケージ | TO-247AC |
株式 | 18137 pcs |
データシート | Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020Packing Tube Design 19/Sep/2019SIHG050N60E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$3.647 | $3.296 | $2.729 | $2.376 | $2.07 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50mOhm @ 23A, 10V |
電力消費(最大) | 278W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3459 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 130 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 51A (Tc) |
基本製品番号 | SIHG050 |
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