SIHD1K4N60E-GE3
工場モデル | SIHD1K4N60E-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA |
パッケージ | D-Pak |
株式 | 212468 pcs |
データシート | SIHD1K4N60E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.45 | $0.403 | $0.314 | $0.259 | $0.205 | $0.191 | $0.182 | $0.175 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
シリーズ | E |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.45Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 63W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 172 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.2A (Tc) |
基本製品番号 | SIHD1 |
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