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Vishay Siliconix

SIHD11N80AE-GE3

工場モデル SIHD11N80AE-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
パッケージ TO-252AA
株式 154119 pcs
データシート E Series Power MOSFET
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.685 $0.614 $0.493 $0.405 $0.336 $0.313 $0.301 $0.293
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。154119のVishay Siliconix SIHD11N80AE-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
シリーズ E
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 450mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費（最大） 78W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 804 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 42 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A (Tc)
基本製品番号 SIHD11

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データシート

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