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Vishay Siliconix

SIHB35N60EF-GE3

工場モデル SIHB35N60EF-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 38129 pcs
データシート SIHB35N60EF
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.475 $2.222 $1.82 $1.55 $1.307 $1.242
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。38129のVishay Siliconix SIHB35N60EF-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ EF
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 97mOhm @ 17A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2568 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 134 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 32A (Tc)
基本製品番号 SIHB35

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データシート

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