SIHD4N80E-GE3
| 工場モデル | SIHD4N80E-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK |
| パッケージ | TO-252AA |
| 株式 | 154587 pcs |
| データシート | SIHD4N80E |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.646 | $0.579 | $0.466 | $0.383 | $0.317 | $0.295 | $0.284 | $0.277 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。154587のVishay Siliconix SIHD4N80E-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
| シリーズ | E |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 69W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 622 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIHD4 |
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