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Vishay Siliconix

SIHB22N60S-E3

工場モデル SIHB22N60S-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 22A TO263
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 4759 pcs
データシート Multiple Devices 14/Mar/2018Mult Dev OBS 14/Mar/2018SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014SiHB22N60S
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4759のVishay Siliconix SIHB22N60S-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 190mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tube
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2810 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 22A (Tc)
基本製品番号 SIHB22

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データシート

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