SIDR870ADP-T1-RE3
工場モデル | SIDR870ADP-T1-RE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
パッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
株式 | 98660 pcs |
データシート | SIDR870ADP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.923 | $0.829 | $0.666 | $0.547 | $0.454 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2866 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21.8A (Ta), 95A (Tc) |
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