SIDR402DP-T1-GE3
工場モデル | SIDR402DP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK |
パッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
株式 | 98824 pcs |
データシート | PowerPak® SO-8 OutlineSIDR402DPMult Dev Wafer Chg 1/Jul/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
6000 |
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$0.397 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA |
Vgs(最大) | +20V, -16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9100 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 165 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
基本製品番号 | SIDR402 |
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