SIDR5802EP-T1-RE3
| 工場モデル | SIDR5802EP-T1-RE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
| 株式 | 66318 pcs |
| データシート | SIDR5802EP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.119 | $1.007 | $0.809 | $0.665 | $0.551 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。66318のVishay Siliconix SIDR5802EP-T1-RE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
| シリーズ | TrenchFET® Gen V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.9mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 7.5W (Ta), 150W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3020 pF @ 40 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34.2A (Ta), 153A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIDR5802 |
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