SIDR622DP-T1-GE3
| 工場モデル | SIDR622DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
| 株式 | 68779 pcs |
| データシート | PowerPak® SO-8 OutlineSIDR622DP |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.228 | $1.104 | $0.887 | $0.729 | $0.604 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。68779のVishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.7mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1516 pF @ 75 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 64.6A (Ta), 56.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIDR622 |
おすすめ商品
-
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAKVishay Siliconix -
SIDR5102EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR610EP-T1-RE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAKVishay Siliconix -
SIDR578EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626EP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR5802EP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DCVishay Siliconix -
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAKVishay Siliconix -
SIDR608EP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix