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Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

工場モデル SIB800EDK-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
パッケージ PowerPAK® SC-75-6
株式 6707 pcs
データシート SIB800EDK
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6707のVishay Siliconix SIB800EDK-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±6V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6
シリーズ LITTLE FOOT®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
電力消費(最大) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.5A (Tc)
基本製品番号 SIB800

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SIB800EDK-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート