SIB411DK-T1-GE3
工場モデル | SIB411DK-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 |
パッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
株式 | 6194 pcs |
データシート | PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014SIB411DK |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 66mOhm @ 3.3A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-75-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 470 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15 nC @ 8 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
基本製品番号 | SIB411 |
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