SIB417AEDK-T1-GE3
| 工場モデル | SIB417AEDK-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6 |
| パッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
| 株式 | 3897 pcs |
| データシート | Multiple Devices 14/Mar/2018SIB417AEDK |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 3A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-75-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 878 pF @ 4 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIB417 |
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