SIB408DK-T1-GE3
工場モデル | SIB408DK-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6 |
パッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
株式 | 6192 pcs |
データシート | Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SIB408DK |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-75-6 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-75-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 350 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Tc) |
基本製品番号 | SIB408 |
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