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Vishay Siliconix

SI7997DP-T1-GE3

工場モデル SI7997DP-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
株式 107953 pcs
データシート New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI7997DP
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.859 $0.771 $0.62 $0.509 $0.422
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。107953のVishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.2V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.5mOhm @ 20A, 10V
電力 - 最大 46W
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6200pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 160nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 SI7997

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SI7997DP-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート