SI7911DN-T1-E3
| 工場モデル | SI7911DN-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 株式 | 6022 pcs |
| データシート | PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014SI7911DN |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6022のVishay Siliconix SI7911DN-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.3W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI7911 |
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