SI7940DP-T1-GE3
工場モデル | SI7940DP-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
株式 | 4125 pcs |
データシート | SIL-0632014 16/Apr/2014SI7940DP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1.4W |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.6A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SI7940 |
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