SI7964DP-T1-GE3
| 工場モデル | SI7964DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 |
| パッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 株式 | 6769 pcs |
| データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 23mOhm @ 9.6A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.4W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI7964 |
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