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Vishay Siliconix

SI2387DS-T1-GE3

工場モデル SI2387DS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 541368 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2387DS
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.201 $0.163 $0.111 $0.083 $0.062
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。541368のVishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 164mOhm @ 2.1A, 10V
電力消費（最大） 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 395 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 10.2 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.1A (Ta), 3A (Tc)

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データシート

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