Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI2347DS-T1-GE3
SI2347DS-T1-GE3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI2347DS-T1-GE3

工場モデル SI2347DS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 842637 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2347DS-T1-GE3
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.171 $0.127 $0.079 $0.054 $0.042
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。842637のVishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 42mOhm @ 3.8A, 10V
電力消費（最大） 1.7W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 705 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 22 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5A (Tc)
基本製品番号 SI2347

おすすめ商品

SI2347DS-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート

SI2347DS-T1-GE3に関連した語彙

SI2347DS-T1-GE3関連コンポーネント