Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI2393DS-T1-GE3
SI2393DS-T1-GE3 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SI2393DS-T1-GE3

工場モデル SI2393DS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 649159 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2393DS
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.203 $0.166 $0.113 $0.085 $0.063
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。649159のVishay Siliconix SI2393DS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs(最大) +16V, -20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 22.7mOhm @ 5A, 10V
電力消費(最大) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 980 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 25.2 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
基本製品番号 SI2393

おすすめ商品

SI2393DS-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート