SI2393DS-T1-GE3
工場モデル | SI2393DS-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 |
パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
株式 | 649159 pcs |
データシート | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2393DS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.203 | $0.166 | $0.113 | $0.085 | $0.063 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | +16V, -20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22.7mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 980 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) |
基本製品番号 | SI2393 |
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