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SI2356DS-T1-GE3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI2356DS-T1-GE3

工場モデル SI2356DS-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 955417 pcs
データシート Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2356DS
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.149 $0.121 $0.083 $0.062 $0.046
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。955417のVishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 51mOhm @ 3.2A, 10V
電力消費（最大） 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 370 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.3A (Tc)
基本製品番号 SI2356

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データシート

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