SI1405BDH-T1-GE3
| 工場モデル | SI1405BDH-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 |
| パッケージ | SC-70-6 |
| 株式 | 4990 pcs |
| データシート | Material ComplianceSi1405BDH |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 305 pF @ 4 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Tc) |
| 基本製品番号 | SI1405 |
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