SI1417EDH-T1-GE3
工場モデル | SI1417EDH-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 |
パッケージ | SC-70-6 |
株式 | 4631 pcs |
データシート | SIL-0632014 16/Apr/2014Material ComplianceSI1417EDH |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 450mV @ 250µA (Min) |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85mOhm @ 3.3A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.7A (Ta) |
基本製品番号 | SI1417 |
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