Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SI1308EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1308EDL-T1-GE3

工場モデル SI1308EDL-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
パッケージ SC-70-3
株式 712906 pcs
データシート Material ComplianceWafer Site 12/Sep/2018SI1308EDLSI1308EDL-T1-GE3 Product Improvement 10/Mar/2023
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.163 $0.131 $0.089 $0.067 $0.05
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。712906のVishay Siliconix SI1308EDL-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-3
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 132mOhm @ 1.4A, 10V
電力消費(最大) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 105 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Tc)
基本製品番号 SI1308

おすすめ商品

SI1308EDL-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート