SI1307EDL-T1-GE3
| 工場モデル | SI1307EDL-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3 |
| パッケージ | SC-70-3 |
| 株式 | 5182 pcs |
| データシート | SI1307EDLPCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material Compliance |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 290mOhm @ 1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 290mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 850mA (Ta) |
| 基本製品番号 | SI1307 |
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