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Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-GE3

工場モデル SI1304BDL-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
パッケージ SC-70-3
株式 6786 pcs
データシート SIL-0632014 16/Apr/2014Material ComplianceSI1304BDL
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6786のVishay Siliconix SI1304BDL-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.3V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-3
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 270mOhm @ 900mA, 4.5V
電力消費（最大） 340mW (Ta), 370mW (Tc)
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 100 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 900mA (Tc)
基本製品番号 SI1304

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データシート

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