IRFSL11N50APBF
工場モデル | IRFSL11N50APBF |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 |
パッケージ | TO-262-3 |
株式 | 61858 pcs |
データシート | Mult Devices 25/May/2018IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$1.284 | $1.154 | $0.946 | $0.805 | $0.679 | $0.645 | $0.621 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。61858のVishay Siliconix IRFSL11N50APBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 550mOhm @ 6.6A, 10V |
電力消費(最大) | 190W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1426 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 51 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Tc) |
基本製品番号 | IRFSL11 |
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