Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFSL31N20D
Infineon Technologies

IRFSL31N20D

工場モデル IRFSL31N20D
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 31A TO262
パッケージ TO-262
株式 5823 pcs
データシート IRFB31N20D, IRFS(L)31N20DIR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5823のInfineon Technologies IRFSL31N20Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 82mOhm @ 18A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2370 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 31A (Tc)

おすすめ商品

IRFSL31N20D データテーブルPDF

データシート

IRFSL31N20Dに関連した語彙

IRFSL31N20D関連コンポーネント