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Infineon Technologies

IRFSL23N15D

工場モデル IRFSL23N15D
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 23A TO262
パッケージ TO-262
株式 6469 pcs
データシート IRFB23N15D, IRFS(L)23N15DIR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6469のInfineon Technologies IRFSL23N15Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 90mOhm @ 14A, 10V
電力消費（最大） 3.8W (Ta), 136W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 56 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 23A (Tc)

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