IRFSL3306PBF
| 工場モデル | IRFSL3306PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262 |
| パッケージ | TO-262 |
| 株式 | 70014 pcs |
| データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021IR Part Numbering SystemFab Site Transfer 11/Aug/2016 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.062 | $0.956 | $0.768 | $0.631 | $0.523 | $0.487 | $0.469 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4520 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFSL3306 |
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