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Vishay Siliconix

IRF630PBF

工場モデル IRF630PBF
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 185219 pcs
データシート Packaging InformationIRF630Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.566 $0.505 $0.394 $0.325 $0.257 $0.24 $0.228 $0.219
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。185219のVishay Siliconix IRF630PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 400mOhm @ 5.4A, 10V
電力消費（最大） 74W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 800 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 43 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)
基本製品番号 IRF630

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データシート

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