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IRF630NSTRRPBF

工場モデル IRF630NSTRRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 5039 pcs
データシート Pkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Material Chg 24/Nov/2015Copper Plating Update 31/Aug/2015Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5039のInfineon Technologies IRF630NSTRRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 300mOhm @ 5.4A, 10V
電力消費（最大） 82W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 575 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.3A (Tc)

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