IRF630NSTRLPBF
| 工場モデル | IRF630NSTRLPBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| パッケージ | D2PAK |
| 株式 | 83598 pcs |
| データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev A/T Site 26/Feb/2021 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $0.64 | $0.571 | $0.446 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 82W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 575 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF630 |
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