IRF630
工場モデル | IRF630 |
---|---|
メーカー | Harris Corporation |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 104729 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
353 |
---|
$0.329 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。104729のHarris Corporation IRF630の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
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