TPH3208PD
工場モデル | TPH3208PD |
---|---|
メーカー | Transphorm |
詳細な説明 | GANFET N-CH 650V 20A TO220AB |
パッケージ | TO-220AB |
株式 | 3933 pcs |
データシート | Mult Devices EOL 02/Apr/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 300µA |
Vgs(最大) | ±18V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130mOhm @ 13A, 8V |
電力消費(最大) | 96W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 8 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |
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