TPH3206LSGB
| 工場モデル | TPH3206LSGB |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 詳細な説明 | GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN |
| パッケージ | 3-PQFN (8x8) |
| 株式 | 5683 pcs |
| データシート | Mult Dev 03/Feb/2020Mult Dev EOL 16/Jan/2020TPH3206LSGB |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 10A, 8V |
| 電力消費（最大） | 81W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 3-PowerDFN |
| パッケージ | Tray |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 480 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) |
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