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Transphorm

TPH3208LSG

工場モデル TPH3208LSG
メーカー Transphorm
詳細な説明 GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
パッケージ 3-PQFN (8x8)
株式 5566 pcs
データシート TPH3208L SeriesMult Dev 03/Feb/2020Mult Dev EOL 16/Jan/2020Mult Dev NRND 20/May/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5566のTransphorm TPH3208LSGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.6V @ 300µA
Vgs(最大) ±18V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 130mOhm @ 14A, 8V
電力消費(最大) 96W (Tc)
パッケージ/ケース 3-PowerDFN
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 42 nC @ 8 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)

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TPH3208LSG データテーブルPDF

データシート